最新的UFS 3.1标准带来更快的性能更高的效率
联合电子设备工程理事会(JEDEC)周五发布了UFS v3.1(JESD220E)标准的规范，作为对UFS 3.0的升级。根据JEDEC的说法，已经为需要高性能，低功耗的移动应用和计算系统开发了新标准。在这种情况下，它提供了新功能，可以提高读/写速度，同时最大程度地减少功耗。
因此，UFS 3.1在以前的版本中定义了许多关键更新，包括“ Write Booster”(SLC非易失性缓存，可提高写入速度)。'DeepSleep'–入门级设备的新UFS设备低功耗状态，以及'Performance Throttling Notifications(性能节流通知)'，当高温导致存储性能下降时，UFS设备可以通知主机。
除了UFS 3.1，该组织还发布了一个可选的新伴侣标准，称为UFS主机性能增强器(HPB)扩展(JESD220-3)。据说它提供了一种将UFS设备逻辑到物理地址映射缓存在系统DRAM中的选项。该组织在官方新闻稿中表示：“对于具有大密度的UFS设备，使用系统DRAM可提供更大，更快的缓存，从而提高设备的读取性能。”
值得注意的是，去年，只有三星Galaxy Note 10系列等许多旗舰智能手机使用了UFS 3.0存储。UFS 2.1 NAND仍然是闪存的默认标准，去年大多数旗舰智能手机都遵循旧标准。实际上，大多数入门级和中端智能手机仍在继续配备eMMC存储，因此，看看最新标准何时将其推向消费类设备变得很有意思。