日前，锋友 libing2157223 分享了自己将 iPhone 6 改装成 iPhone 7 的全过程，他表示，整个改装过程耗时超过了两天，各项功能和天线测试都能正常使用。下面我们来了解一下具体情况。
据了解，在完成改装之后，锋友 libing2157223 的 iPhone 6 获得了 iPhone 7 后置火山口相机、非按压式防水 Home 按键、双扬声器孔、3D Touch、软件显示 iPhone 7 在线、iPhone 7 防水功能等特性。
接下来，我们来看看这位锋友的改装 iPhone 6 的过程，下图为锋友好不容易拿到手的 iPhone 7 外壳。
1. 担心打磨的过程刮到外壳，因此拿胶布沾了一圈。
2. 将主板放到 iPhone 7 外壳中提前估计一下位置。
3. 扬声器有点长，切割一下。
4. 用小电钻把主板里面的螺丝孔磨掉，四周的黑色部分也要打磨，否则无法将屏幕装进去。注意，一定要小心。
5. 将主板和扬声器放进去，比对一下位置。
6. 由于开机排线和音量排线的螺丝位置不同，因此打磨成这样的形状，动作要慢一些，因为排线是很脆的。
每一年，我们都希望移动设备的速度有大幅提升、同时能源效率也变得更高。相信很多人都会把关注点放在更快的处理器、更多的RAM、更大的内部存储、以及更高容量的电池上，但却忽略了某些不起眼的地方——比如存储性能。作为移动设备的“硬盘”，厂家似乎不愿多谈。但是对于较真的人们来说，热门Android手机和iPhone之间，又可以拉出多大的差距呢？
外媒AnandTech特地对包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7 / S6 / S6 edge 、S5、小米Note Pro、华为P8 / Mate 8 / 荣耀5X、LG G4、Google Nexus 5X / 6P在内的十余款设备进行了磁盘性能测试。
令人惊讶的是，在内部闪存顺序读写测试中，iPhone 6s Plus均远远高于其它Android竞争对手。
持续写入测试中，排名前三的分别为iPhone 6s Plus（163.20 MB/s）、三星Galaxy S7（64.49 MB/s）、以及Galaxy S6 / S6 edge（并列40.69 MB/s）。
在顺序读取测试中，排名前三的也是这几个，其中iPhone 6s Plus的成绩为402.35 MB/s、三星Galaxy S7为 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge并列 208.69MB/s。
iPhone 6s之所以这么快（相较于iPhone 6），是因为苹果改变了内存的处理方式。根据AnandTech的详细所述，苹果选用了在MacBook SSD上创下惊人速度的主控，在将之改造后塞进了智能机中。
此外，报道还提到iPhone 6s采用了定制NAND闪存和NVMe协议，而不是UFS或传统的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款机型，也都使用了相同的存储类型。
在测试中，苹果的存储，轻松击败了搭载UFS 2.0闪存的Galaxy S6系列，即使后者已经算是相当快了。
【补充】2月份的时候，三星宣布其UFS 2.0技术变得更快、容量也提升到了256GB —— 顺序读取可达850MB/s、持续写入也有260MB/s。
遗憾的是，在AnandTech的测试中，该公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都没能打破iPhone 6s创下的纪录。
在本周举办的“2016移动与物联网论坛”上，三星提到了UFS存储对于4K/8K/VR内容的意义。Cho Hee-chang预计，到2020年的时候，联网设备数量会达到500亿左右。
Galaxy S和Galaxy Note等产品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1内置存储（其理论速度可达1.2GB/s），将于2018上半年提升至2.4GB/s。